- Модель продукта SIS110DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6608
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 54mOhm @ 4A, 10V
- Материал феррулы 3.2W (Ta), 24W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8
- Длина ремня 7.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 13 nC @ 10 V
- 550 pF @ 50 V