Инвентаризация:10211

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® SO-8
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 16.1A (Ta), 65.8 (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 8mOhm @ 15A, 10V
  • Материал феррулы 5W (Ta), 83.3W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
  • Длина ремня 7.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 52 nC @ 10 V
  • 2440 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3

Инвентаризация: 42487

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 114762

MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.22A, 50V

Инвентаризация: 57976

MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON

Инвентаризация: 6686

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

Инвентаризация: 12009

MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK

Инвентаризация: 5392

MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK

Инвентаризация: 5108

Top