Инвентаризация:7340

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 18A (Ta), 30A (Tc)
  • Глубина 820pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 7.12mOhm @ 15A, 10V
  • Тип симистора 18.2nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-Power33 (3x3)

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON

Инвентаризация: 8636

MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23

Инвентаризация: 428069

MOSFET 2N-CH 30V 18.5A 8PWR33

Инвентаризация: 7499

Top