Инвентаризация:8999

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 18.5A (Ta), 30A (Tc)
  • Глубина 940pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 6.75mOhm @ 15A, 10V
  • Тип симистора 20.3nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-Power33 (3x3)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33

Инвентаризация: 16381

MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33

Инвентаризация: 18553

MOSFET 2N-CH 30V 17A/30A 8PWR33

Инвентаризация: 3924

MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33

Инвентаризация: 5840

MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR

Инвентаризация: 5314

MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR

Инвентаризация: 5281

Top