Инвентаризация:10136

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 23.5A (Ta), 100A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 3.1mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 3.1W (Ta)
  • Барьерный тип 1.9V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-VSONP (5x6)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 21.5 nC @ 4.5 V
  • 3252 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 100MA EMT3F

Инвентаризация: 22075

MOSFET 2N-CH 30V 18A/30A 8PWR33

Инвентаризация: 5840

Top