Инвентаризация:8896

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 150A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 2.2mOhm @ 25A, 10V
  • Материал феррулы 1.4W
  • Барьерный тип 1.4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8
  • Длина ремня 2.5V, 10V
  • Шаг Количество ±12V
  • 20 V
  • 177 nC @ 10 V
  • 8352 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 16693

MOSFET P-CH 30V 100A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 1489

MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 5276

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 13547

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT-363

Инвентаризация: 140775

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)

Инвентаризация: 2741

Top