Инвентаризация:18193

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 1.9mOhm @ 25A, 10V
  • Материал феррулы 2.3W (Ta)
  • Барьерный тип 1.4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8 (Type K)
  • Длина ремня 2.5V, 10V
  • Шаг Количество ±12V
  • 20 V
  • 585 nC @ 10 V
  • 12826 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


TRENCH <= 40V

Инвентаризация: 6434

BUK7S0R5-40H/SOT1235/LFPAK88

Инвентаризация: 5244

MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 7396

MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 3134

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 27688

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-5

Инвентаризация: 35288

DIODE ZENER 4.7V 200MW UMD2

Инвентаризация: 60616

Top