Инвентаризация:4375

Технические детали

  • Тип монтажа 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 700mA (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 1.2Ohm @ 420mA, 10V
  • Материал феррулы 1.3W (Ta)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 4-HVMDIP
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 8.7 nC @ 10 V
  • 200 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


IC GATE AND 4CH 2-INP 14DIP

Инвентаризация: 2436

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Инвентаризация: 0

1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL

Инвентаризация: 44368

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Инвентаризация: 20873

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

Инвентаризация: 2935

MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP

Инвентаризация: 0

0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL

Инвентаризация: 15652

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

Инвентаризация: 2480

MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3

Инвентаризация: 143012

Top