Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 700mA (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 1.2Ohm @ 420mA, 10V
  • Материал феррулы 1.3W (Ta)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 4-HVMDIP
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 8.7 nC @ 10 V
  • 200 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Инвентаризация: 20873

MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP

Инвентаризация: 2875

Top