Технические детали

• Тип монтажа Die
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Ta), 40A (Ta)
• Глубина 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
• Тип симистора 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
• Барьерный тип 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
• Максимальное переменное напряжение Die