Инвентаризация:7137

Технические детали

  • Тип монтажа Die
  • Количество витков Surface Mount
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 1.3mOhm @ 40A, 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 20mA
  • Максимальное переменное напряжение Die
  • 30 V
  • 2300 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


TRANSISTOR GAN 40V .001OHM

Инвентаризация: 7559

GANFET N-CH 80V 10A DIE

Инвентаризация: 22152

Top