Инвентаризация:3460

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 17A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 4.2mOhm @ 44A, 10V
  • Материал феррулы 125W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 65 nC @ 10 V
  • 4500 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 100A TDSON

Инвентаризация: 45476

MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON

Инвентаризация: 46406

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

Инвентаризация: 2016

MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF

Инвентаризация: 919

Top