Инвентаризация:47906

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 40A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 11mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 50W (Tc)
  • Барьерный тип 3.8V @ 22µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TSDSON-8-FL
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 80 V
  • 18.5 nC @ 10 V
  • 1300 pF @ 40 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON

Инвентаризация: 43731

MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN

Инвентаризация: 3022

Top