- Модель продукта SQJ407EP-T1_GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS No
- Описание MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6584
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4.4mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 68W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 260 nC @ 10 V
- 10700 pF @ 25 V
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Инвентаризация: 0
MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
Инвентаризация: 3278
SENSOR CURRENT HALL 45A 8SOIC
Инвентаризация: 7027
