- Модель продукта SQJA82EP-T1_GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 8.2mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 68W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 60 nC @ 10 V
- 3000 pF @ 25 V
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Инвентаризация: 219574
MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Инвентаризация: 7955
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Инвентаризация: 4944
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Инвентаризация: 46297
MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Инвентаризация: 798
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Инвентаризация: 4188
MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Инвентаризация: 33670
MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Инвентаризация: 11446
