- Модель продукта STW11NK100Z
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 8.3A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.38Ohm @ 4.15A, 10V
- Материал феррулы 230W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 100µA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 1000 V
- 162 nC @ 10 V
- 3500 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 1000V 8A TO3PN
Инвентаризация: 440
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3
Инвентаризация: 420
RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO
Инвентаризация: 1140
MOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3
Инвентаризация: 63
MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3
Инвентаризация: 318
