Инвентаризация:1940

Технические детали

  • Тип монтажа TO-3P-3, SC-65-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 1.45Ohm @ 4A, 10V
  • Материал феррулы 225W (Tc)
  • Барьерный тип 5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение TO-3PN
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±30V
  • 1000 V
  • 70 nC @ 10 V
  • 3220 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


RF DIODE SCHOTTKY 5V 3CP

Инвентаризация: 2250

MOSFET N-CH 1000V 9A TO247

Инвентаризация: 0

TRANS PNP 50V 1A 3CPH

Инвентаризация: 7128

MOSFET N-CH 500V 100A TO264-3

Инвентаризация: 373

MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247

Инвентаризация: 13

SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER

Инвентаризация: 742

SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3

Инвентаризация: 335

MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO247-3

Инвентаризация: 83

Top