- Модель продукта FQH8N100C
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1920
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 8A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.45Ohm @ 4A, 10V
- Материал феррулы 225W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 1000 V
- 70 nC @ 10 V
- 3220 pF @ 25 V