- Модель продукта STD5N80K5
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6171
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.75Ohm @ 2A, 10V
- Материал феррулы 60W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 100µA
- Максимальное переменное напряжение DPAK
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 800 V
- 5 nC @ 10 V
- 177 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Инвентаризация: 0
RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10
Инвентаризация: 0
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Инвентаризация: 918
MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
Инвентаризация: 0
