- Модель продукта SIHD1K4N60E-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4.2A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.45Ohm @ 500mA, 10V
- Материал феррулы 63W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение DPAK
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 600 V
- 7.5 nC @ 10 V
- 172 pF @ 100 V