Инвентаризация:18274

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.5W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8.2A, 32A
  • Глубина 1143pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 15A, 10V
  • Тип симистора 20.1nC @ 10V
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23

Инвентаризация: 558038

MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

Инвентаризация: 31787

MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212

Инвентаризация: 7545

Top