Технические детали

• Тип монтажа 8-PowerTDFN
• Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
• Скорость 2 N-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.5W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 60V
• Толщина внешнего контактного покрытия 8.2A (Ta), 32A(Tc)
• Глубина 1143pF @ 25V
• Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 15A, 10V
• Тип симистора 20.1nC @ 10V
• Барьерный тип 3V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8 (Type R)