Инвентаризация:11393

Технические детали

  • Тип монтажа 6-XFDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel Complementary
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 390mW
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 1.1A, 700mA
  • Глубина 65.9pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 460mOhm @ 200mA, 4.5V
  • Тип симистора 0.9nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 950mV @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-DFN1310-6 (Type B)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


TERM BLOCK HDR 2POS VERT 3.81MM

Инвентаризация: 9592

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Инвентаризация: 177478

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

Инвентаризация: 30099

MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN

Инвентаризация: 5164

MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN

Инвентаризация: 109037

MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN

Инвентаризация: 1684401

Top