Инвентаризация:6664

Технические детали

  • Тип монтажа 6-XFDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel Complementary
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 380mW
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 600mA
  • Глубина 21.3pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 620mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Тип симистора 0.7nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 950mV @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение DFN1010B-6

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN

Инвентаризация: 109037

MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN

Инвентаризация: 1684401

MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3

Инвентаризация: 76634

IC INVERT SCHMITT 2CH 2-INP 6SON

Инвентаризация: 2133

Top