Инвентаризация:2349

Технические детали

  • Тип монтажа 12-VFDFN Exposed Pad
  • Индуктивность 6GHz
  • Общее сопротивление 30W
  • Площадь (Д x Ш) 20.4dB
  • Функция - Освещение HEMT
  • Максимальное переменное напряжение 12-DFN (4x3)
  • Длина ножки 125 V
  • 50 V
  • 130 mA

Сопутствующие товары


RF MOSFET LDMOS 7.5V SOT89A

Инвентаризация: 29830

RF MOSFET HEMT 28V 12DFN

Инвентаризация: 279

RF MOSFET HEMT 28V 6QFN

Инвентаризация: 626

RF MOSFET HEMT 28V 440193

Инвентаризация: 1

RF MOSFET HEMT 40V 12DFN

Инвентаризация: 1

RF MOSFET HEMT 40V 12DFN

Инвентаризация: 150

RF MOSFET HEMT 50V 12DFN

Инвентаризация: 1181

RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP

Инвентаризация: 191

RF MOSFET HEMT 50V 440166

Инвентаризация: 37

RF MOSFET E-PHEMT 3V MMM1362

Инвентаризация: 6858

Top