Инвентаризация:1779

Технические детали

  • Тип монтажа 12-VFDFN Exposed Pad
  • Индуктивность 6GHz
  • Общее сопротивление 30W
  • Площадь (Д x Ш) 18.3dB
  • Функция - Освещение HEMT
  • Максимальное переменное напряжение 12-DFN (4x3)
  • Длина ножки 84 V
  • 28 V
  • 200 mA

Сопутствующие товары


RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1

Инвентаризация: 0

RF MOSFET HEMT 28V 6QFN

Инвентаризация: 626

RF MOSFET HEMT 40V 12DFN

Инвентаризация: 1

RF MOSFET HEMT 40V 12DFN

Инвентаризация: 150

RF MOSFET HEMT 50V 12DFN

Инвентаризация: 1181

RF MOSFET HEMT 50V 12DFN

Инвентаризация: 849

RF MOSFET 28V 211-07

Инвентаризация: 273

RF MOSFET 50V M244

Инвентаризация: 50

Top