- Модель продукта PMDPB56XNEAX
- Бренд Nexperia
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:47363
Технические детали
- Тип монтажа 6-UDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 485mW (Ta)
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 3.1A (Ta)
- Глубина 256pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 72mOhm @ 3.1A, 4.5V
- Тип симистора 5nC @ 4.5V
- Барьерный тип 1.25V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение DFN2020D-6
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q100
Сопутствующие товары
IC INVERTER 2CH 2-INP 6XSON
Инвентаризация: 4035
TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
Инвентаризация: 46427
BSH103BK - 30 V, N-CHANNEL TRENC
Инвентаризация: 19898
MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
Инвентаризация: 23999
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Инвентаризация: 6813
