- Модель продукта FDME1023PZT
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:8313
Технические детали
- Тип монтажа 6-UFDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 P-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 600mW
- Внутренняя отделка контактов 20V
- Толщина внешнего контактного покрытия 2.6A
- Глубина 405pF @ 10V
- Сопротивление при 25°C 142mOhm @ 2.3A, 4.5V
- Тип симистора 7.7nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 6-MicroFET (1.6x1.6)
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN
Инвентаризация: 45863
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Инвентаризация: 16592
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Инвентаризация: 52120
MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Инвентаризация: 5543
