Инвентаризация:25499

Технические детали

  • Тип монтажа 6-UDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 730mW
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 3.3A
  • Глубина 389pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 45mOhm @ 5A, 4.5V
  • Тип симистора 12nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение U-DFN2020-6 (Type B)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Инвентаризация: 122897

MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN

Инвентаризация: 1775

MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

Инвентаризация: 68727

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN

Инвентаризация: 10701

MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN

Инвентаризация: 45863

Top