Инвентаризация:11052

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 50W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A
  • Глубина 2890pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 13.7mOhm @ 17A, 10V
  • Тип симистора 39nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.2V @ 20µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-4
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D

Инвентаризация: 8709

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 4679

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 4720

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 31312

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 17561

Top