- Модель продукта IPG20N06S415ATMA2
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:6179
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 50W
- Внутренняя отделка контактов 60V
- Толщина внешнего контактного покрытия 20A
- Глубина 2260pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 15.5mOhm @ 17A, 10V
- Тип симистора 29nC @ 10V
- Барьерный тип 4V @ 20µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-4
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 60V 30A LFPAK56D
Инвентаризация: 173834
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Инвентаризация: 31312
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Инвентаризация: 9552
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Инвентаризация: 16000
