Технические детали

• Тип монтажа 8-VDFN Exposed Pad
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.2W
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 30A
• Глубина 1500pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 11.1mOhm @ 14.4A, 10V
• Тип симистора 20nC @ 15V
• Барьерный тип 3V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение V-DFN3030-8 (Type K)