Технические детали

• Тип монтажа 8-VDFN Exposed Pad
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 155°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.9W
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 8A, 10.7A
• Глубина 641pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 6A, 10V
• Тип симистора 13.2nC @ 10V
• Барьерный тип 3V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение V-DFN3030-8 (Type K)