Технические детали

• Тип монтажа 8-WDFN Exposed Pad
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 2.5W (Ta), 23W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 13.8A (Ta), 18A (Tc)
• Глубина 700pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 8.5mOhm @ 20A, 10V
• Тип симистора 20nC @ 10V
• Барьерный тип 2.1V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-DFN-EP (3x3)