Инвентаризация:2253

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 P-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.81W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.7A
  • Глубина 637pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 125mOhm @ 2.3A, 10V
  • Тип симистора 17.7nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1V @ 250µA (Min)
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8SO

Инвентаризация: 36019

MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO

Инвентаризация: 10749

MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC

Инвентаризация: 1416

MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3

Инвентаризация: 9221

Top