Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 P-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 900mW
• Внутренняя отделка контактов 60V
• Толщина внешнего контактного покрытия 2.3A
• Глубина 394pF @ 30V
• Сопротивление при 25°C 250mOhm @ 2.3A, 10V
• Тип симистора 13nC @ 10V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 3V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOIC