- Модель продукта FCB110N65F
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2800
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 35A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 110mOhm @ 17.5A, 10V
- Материал феррулы 357W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 3.5mA
- Максимальное переменное напряжение TO-263 (D2PAK)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 650 V
- 145 nC @ 10 V
- 4895 pF @ 100 V