- Модель продукта NVMFD5C650NLT1G
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 3.5W (Ta), 125W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 60V
- Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Ta), 111A (Tc)
- Глубина 2546pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 4.2mOhm @ 20A, 10V
- Тип симистора 16nC @ 4.5V
- Барьерный тип 2.2V @ 98µA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101