Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.5W (Ta), 125W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Ta), 111A (Tc)
  • Глубина 2546pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 4.2mOhm @ 20A, 10V
  • Тип симистора 16nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 2.2V @ 98µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN

Инвентаризация: 1300

MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN

Инвентаризация: 1500

MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN

Инвентаризация: 2838

MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN

Инвентаризация: 20254

MOSFET P-CH 80V 110A TO263

Инвентаризация: 46955

Top