Инвентаризация:48455

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 110A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 11.2mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 13.6W (Ta), 375W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение TO-263 (D2PAK)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 80 V
  • 270 nC @ 10 V
  • 10850 pF @ 40 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 85V 96A TO263

Инвентаризация: 5585

MOSFET P-CH 100V 120A TO263

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 60V 110A TO263

Инвентаризация: 65815

P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA

Инвентаризация: 1479

Top