- Модель продукта IPB65R110CFDATMA2
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3480
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 31.2A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 110mOhm @ 12.7A, 10V
- Материал феррулы 277.8W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 1.3mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 650 V
- 118 nC @ 10 V
- 3240 pF @ 100 V