- Модель продукта FDMS86202ET120
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 13.5A (Ta), 102A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
- Материал феррулы 3.3W (Ta), 187W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 120 V
- 64 nC @ 10 V
- 4585 pF @ 60 V