- Модель продукта FDMS86202
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:4398
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 13.5A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
- Материал феррулы 2.7W (Ta), 156W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 120 V
- 64 nC @ 10 V
- 4250 pF @ 60 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Инвентаризация: 19067
MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
Инвентаризация: 11139
MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
Инвентаризация: 3000
TRANS NPN 120V 1A SOT23-3
Инвентаризация: 15469
