- Модель продукта FDMS4D0N12C
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5525
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 18.5A (Ta), 114A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4mOhm @ 67A, 10V
- Материал феррулы 2.7W (Ta), 106W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 370A
- Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 120 V
- 82 nC @ 10 V
- 6460 pF @ 60 V