Инвентаризация:4270

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 13A, 23A
  • Глубина 1785pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 8mOhm @ 13A, 10V
  • Тип симистора 29nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.7V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение Power56

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 18.5A/49A 8DFN

Инвентаризация: 7062

MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56

Инвентаризация: 9980

MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3

Инвентаризация: 81298

MOSFET 2N-CH 30V 78.5A POWERFLAT

Инвентаризация: 0

Top