Инвентаризация:11480

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12A, 17A
  • Глубина 1750pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 7.5mOhm @ 12A, 10V
  • Тип симистора 28nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение Power56

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56

Инвентаризация: 2770

MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 30V 78.5A POWERFLAT

Инвентаризация: 0

Top