Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 P-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 62.5W
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 13A
  • Глубина 864pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 180mOhm @ 1.7A, 10V
  • Тип симистора 16.5nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerFlat™ (5x6)

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK

Инвентаризация: 7508

MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8

Инвентаризация: 1773

MOSFET 2P-CH 60V 12A 8DFN

Инвентаризация: 10821

Top