- Модель продукта CSD19506KCS
- Бренд Texas Instruments
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:1649
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 2.3mOhm @ 100A, 10V
- Материал феррулы 375W (Tc)
- Барьерный тип 3.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220-3
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 156 nC @ 10 V
- 12200 pF @ 40 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Инвентаризация: 352
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
Инвентаризация: 855
MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Инвентаризация: 295
IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3
Инвентаризация: 333
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Инвентаризация: 7988
