- Модель продукта CSD19534KCS
- Бренд Texas Instruments
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 16.5mOhm @ 30A, 10V
- Материал феррулы 118W (Tc)
- Барьерный тип 3.4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220-3
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 22.2 nC @ 10 V
- 1670 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 60V 72A/100A TO220-3
Инвентаризация: 835
MOSFET N-CH 60V 45A/100A TO220-3
Инвентаризация: 319
MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Инвентаризация: 79
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Инвентаризация: 142
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
Инвентаризация: 855
GAN FET HEMT 650V .236OHM 22QFN
Инвентаризация: 2983
