Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 12-SIP Exposed Tab
  • Количество витков Through Hole
  • Резистивный материал 2 NPN, 2 PNP Darlington (H-Bridge)
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Смываемый 5W
  • Длина - Резьбовая часть под головкой 5A
  • IGBT Тип 100V
  • Толщина ленты 1.5V @ 6mA, 3A
  • Входной логический уровень - Низкий 10µA (ICBO)
  • Входной логический уровень - Высокий 2000 @ 3A, 4V
  • Максимальное переменное напряжение 12-SIP

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3

Инвентаризация: 7

MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26

Инвентаризация: 46350

MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO

Инвентаризация: 2269

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP

Инвентаризация: 26733

Top