Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® SO-8
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 33mOhm @ 10A, 10V
  • Материал феррулы 4.1W (Ta), 29.7W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 19.5 nC @ 10 V
  • 550 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP

Инвентаризация: 16767

MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP

Инвентаризация: 6

MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8

Инвентаризация: 20842

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW

Инвентаризация: 8472

MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8

Инвентаризация: 3825

MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S

Инвентаризация: 0

Top